
SQJ456EP-T1_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQJ456EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ456EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ456EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQJ456EP-T1_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 32 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQJ456EP-T1_GE3 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3342 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 26mohm a 9,3A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| PSMN028-100YS,115 | Nexperia USA Inc. | 6 490 | 1727-5226-1-ND | € 1,32000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 5,46000 | € 5,46 |
| 10 | € 3,65500 | € 36,55 |
| 100 | € 2,63330 | € 263,33 |
| 500 | € 2,43164 | € 1 215,82 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 1,98664 | € 5 959,92 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 5,46000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 6,66120 |

