Canale N 50 V 50 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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SQD50N05-11L_GE3

Codice DigiKey
SQD50N05-11L_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SQD50N05-11L_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SQD50N05-11L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SQD50N05-11L_GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 50 V 50 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
52 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2106 pF @ 25 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET
Grado
Automobilistico
Tecnologia
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
50 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
11mohm a 45A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SQJ166ELP-T1_GE3Vishay Siliconix2 865742-SQJ166ELP-T1_GE3CT-ND€ 1,34000Consigliato dal produttore
FDD8647Lonsemi142FDD8647LCT-ND€ 1,62000Simile
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,21000€ 2,21
10€ 1,42100€ 14,21
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,21000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,69620