
SQD50N05-11L_GE3 | |
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Codice DigiKey | SQD50N05-11L_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQD50N05-11L_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQD50N05-11L_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQD50N05-11L_GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 50 V 50 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 52 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2106 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 50 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 45A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| SQJ166ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 2 865 | 742-SQJ166ELP-T1_GE3CT-ND | € 1,34000 | Consigliato dal produttore |
| FDD8647L | onsemi | 142 | FDD8647LCT-ND | € 1,62000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,21000 | € 2,21 |
| 10 | € 1,42100 | € 14,21 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,21000 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,69620 |

