
SIZ902DT-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIZ902DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIZ902DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIZ902DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZ902DT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 16A 29W, 66W A montaggio superficiale 8-PowerPair® (6x5) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 16A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 12mohm a 13,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 21nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 790pF a 15V | |
Potenza - Max | 29W, 66W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerWDFN | |
Contenitore del fornitore | 8-PowerPair® (6x5) | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,75000 | € 1,75 |
| 10 | € 1,12200 | € 11,22 |
| 100 | € 0,75840 | € 75,84 |
| 500 | € 0,60280 | € 301,40 |
| 1 000 | € 0,56823 | € 568,23 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,48920 | € 1 467,60 |
| 6 000 | € 0,46424 | € 2 785,44 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,75000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,13500 |

