Impostazioni
Consegna rapida
Spedizione gratuita
Incoterms
Modalità di pagamento
Prodotto Marketplace
SIZ300DT-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:
Consigliato dal produttore
Simile
Simile
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SIZ300DT-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIZ300DT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 11 A, 28 A 16,7W, 31W A montaggio superficiale 8-PowerPair® |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIZ300DT-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 11 A, 28 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 24mohm a 9,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 12nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 400pF a 15V | |
Potenza - Max | 16,7W, 31W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerWDFN | |
Contenitore del fornitore | 8-PowerPair® | |
Codice componente base |
Obsoleto
Ti potrebbe anche interessare
1 Articoli
Italia