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SISS73DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISS73DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS73DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS73DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS73DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 42 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 150 V 4,4A (Ta), 16,2A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS73DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 719 pF @ 75 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 150 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 5 607
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,87000 | € 1,87 |
| 10 | € 1,19200 | € 11,92 |
| 100 | € 0,80590 | € 80,59 |
| 500 | € 0,64076 | € 320,38 |
| 1 000 | € 0,58765 | € 587,65 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,52023 | € 1 560,69 |
| 6 000 | € 0,48632 | € 2 917,92 |
| 9 000 | € 0,46904 | € 4 221,36 |
| 15 000 | € 0,46213 | € 6 931,95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,87000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,28140 |
