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SISS30DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SISS30DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISS30DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISS30DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS30DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 15,9A (Ta), 54,7A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,8V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1666 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 4,8W (Ta), 57W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8S |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,25mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 12 057
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,60000 | € 1,60 |
| 10 | € 1,01400 | € 10,14 |
| 100 | € 0,68020 | € 68,02 |
| 500 | € 0,53706 | € 268,53 |
| 1 000 | € 0,49101 | € 491,01 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,43255 | € 1 297,65 |
| 6 000 | € 0,40313 | € 2 418,78 |
| 9 000 | € 0,38815 | € 3 493,35 |
| 15 000 | € 0,37279 | € 5 591,85 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,60000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,95200 |
