
SISS23DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS23DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISS23DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,8V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,5mohm a 20A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 900mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 300 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 8840 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,8W (Ta), 57W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,08000 | € 1,08 |
| 10 | € 0,67700 | € 6,77 |
| 100 | € 0,44660 | € 44,66 |
| 500 | € 0,34744 | € 173,72 |
| 1 000 | € 0,31548 | € 315,48 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,27492 | € 824,76 |
| 6 000 | € 0,25450 | € 1 527,00 |
| 9 000 | € 0,24410 | € 2 196,90 |
| 15 000 | € 0,23611 | € 3 541,65 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,08000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,31760 |



