
SISS22DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISS22DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISS22DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISS22DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISS22DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 25 A (Ta), 90,6 A (Tc) 5W (Ta), 65,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8S |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,6V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1870 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 65,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8S | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,96000 | € 1,96 |
| 10 | € 1,25700 | € 12,57 |
| 100 | € 0,85490 | € 85,49 |
| 500 | € 0,68282 | € 341,41 |
| 1 000 | € 0,66073 | € 660,73 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,55727 | € 1 671,81 |
| 6 000 | € 0,53981 | € 3 238,86 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,96000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,39120 |


