
SISB46DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISB46DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISB46DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISB46DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISB46DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 34 A (Tc) 23W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISB46DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 34 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11,71mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1100pF a 20V | |
Potenza - Max | 23W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,11000 | € 1,11 |
| 10 | € 0,69300 | € 6,93 |
| 100 | € 0,45730 | € 45,73 |
| 500 | € 0,35610 | € 178,05 |
| 1 000 | € 0,32351 | € 323,51 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,28211 | € 846,33 |
| 6 000 | € 0,26127 | € 1 567,62 |
| 9 000 | € 0,25065 | € 2 255,85 |
| 15 000 | € 0,24346 | € 3 651,90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,11000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,35420 |








