SIS176LDN-T1-GE3
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SIS862DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SIS862DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIS862DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIS862DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SIS862DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 40 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIS862DN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,5mohm a 20 A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1320 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 6 339
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,48000€ 1,48
10€ 0,93500€ 9,35
100€ 0,62650€ 62,65
500€ 0,49408€ 247,04
1 000€ 0,45146€ 451,46
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,39736€ 1 192,08
6 000€ 0,37013€ 2 220,78
9 000€ 0,36437€ 3 279,33
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,48000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,80560