
SIRA54DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIRA54DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRA54DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRA54DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA54DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 60 A (Tc) 36,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,35mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 48 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5300 pF @ 20 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 36,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,59000 | € 1,59 |
| 10 | € 1,01100 | € 10,11 |
| 100 | € 0,67930 | € 67,93 |
| 500 | € 0,53742 | € 268,71 |
| 1 000 | € 0,49423 | € 494,23 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,43389 | € 1 301,67 |
| 6 000 | € 0,40474 | € 2 428,44 |
| 9 000 | € 0,40378 | € 3 634,02 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,59000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,93980 |

