Name: SIRA18DDP-T1-UE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRA18DDP-T1-UE3TR-ND
Price: 0.8174 EUR
Availability: InStock

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SIRA18DDP-T1-UE3
Codice DigiKey	742-SIRA18DDP-T1-UE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRA18DDP-T1-UE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRA18DDP-T1-UE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIRA18DDP-T1-UE3
Descrizione	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	45 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 19 A (Ta), 40 A (Tc) 3,8W (Ta), 17W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 6,83mohm a 10A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +20V, -16V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 670 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 17W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,67000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,81740

SIRA18DDP-T1-UE3