SIR401DP-T1-GE3
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SIRA04DP-T1-GE3

Codice DigiKey
SIRA04DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIRA04DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIRA04DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIRA04DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 40 A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIRA04DP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,15mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3595 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 62,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SIRA04
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In magazzino: 1 439
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,61000€ 1,61
10€ 1,02300€ 10,23
100€ 0,68790€ 68,79
500€ 0,54452€ 272,26
1 000€ 0,50216€ 502,16
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,43986€ 1 319,58
6 000€ 0,41040€ 2 462,40
9 000€ 0,41026€ 3 692,34
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,61000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,96420