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SIHP6N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHP6N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHP6N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Foro passante TO-220AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHP6N65E-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 820 pF @ 100 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220AB |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 3A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP14N60P | IXYS | 0 | IXFP14N60P-ND | € 2,73403 | Simile |
| IXTP14N60P | IXYS | 177 | IXTP14N60P-ND | € 5,71000 | Simile |
| SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | 135 | 448-SPA11N80C3XKSA2-ND | € 2,96000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 0,91619 | € 916,19 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,91619 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,11775 |



