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Equivalente parametrico

SIHG21N80AE-GE3
Vishay Siliconix
In magazzino: 460
Prezzo unitario : € 4,86000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SIHW21N80AE-GE3
Vishay Siliconix
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SIHP050N60E-GE3
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SIHP21N80AE-GE3

Codice DigiKey
SIHP21N80AE-GE3-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHP21N80AE-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
E
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
17,4A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
235mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1388 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
32W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
TO-220-3
Codice componente base
SIHP21
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 4,53000€ 4,53
50€ 2,36360€ 118,18
100€ 2,15420€ 215,42
500€ 1,78730€ 893,65
1 000€ 1,68637€ 1 686,37
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 4,53000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 5,52660