SIHD5N80AE-GE3
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SIHD6N80E-GE3

Codice DigiKey
SIHD6N80E-GE3-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHD6N80E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 5,4 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
E
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
940mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
827 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
78W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
SIHD6
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Sfuso
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,47000€ 2,47
10€ 1,60000€ 16,00
100€ 1,10230€ 110,23
500€ 0,88976€ 444,88
1 000€ 0,82145€ 821,45
3 000€ 0,74170€ 2 225,10
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,47000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,01340