
SIA975DJ-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIA975DJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA975DJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA975DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIA975DJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 12V 4,5A 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIA975DJ-T1-GE3 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 41mohm a 4,3A, 4,5V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 26nC a 8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500pF a 6V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 7,8W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 12V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5A | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,99000 | € 0,99 |
| 10 | € 0,62200 | € 6,22 |
| 100 | € 0,40760 | € 40,76 |
| 500 | € 0,31534 | € 157,67 |
| 1 000 | € 0,28561 | € 285,61 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,24783 | € 743,49 |
| 6 000 | € 0,22881 | € 1 372,86 |
| 9 000 | € 0,21912 | € 1 972,08 |
| 15 000 | € 0,20823 | € 3 123,45 |
| 21 000 | € 0,20179 | € 4 237,59 |
| 30 000 | € 0,19552 | € 5 865,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,20780 |

