
SIA910EDJ-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA910EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIA910EDJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 12V 4,5A 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIA910EDJ-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 12V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,5A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 28mohm a 5,2A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16nC a 8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 455pF a 6V | |
Potenza - Max | 7,8W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SC-70-6 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SC-70-6 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,82000 | € 0,82 |
| 10 | € 0,51300 | € 5,13 |
| 100 | € 0,33400 | € 33,40 |
| 500 | € 0,25690 | € 128,45 |
| 1 000 | € 0,23204 | € 232,04 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,20047 | € 601,41 |
| 6 000 | € 0,18456 | € 1 107,36 |
| 9 000 | € 0,17646 | € 1 588,14 |
| 15 000 | € 0,16736 | € 2 510,40 |
| 21 000 | € 0,16197 | € 3 401,37 |
| 30 000 | € 0,16194 | € 4 858,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,00040 |









