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SI7846DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SI7846DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI7846DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI7846DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7846DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 4 A (Ta) 1,9W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 50mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,9W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 1 849
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,14000 | € 3,14 |
| 10 | € 2,05000 | € 20,50 |
| 100 | € 1,43270 | € 143,27 |
| 500 | € 1,25538 | € 627,69 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 1,02564 | € 3 076,92 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,14000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,83080 |
Italia