Name: SI7117DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7117DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.0618 EUR
Availability: InStock

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SI7117DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SI7117DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7117DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7117DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7117DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Tempi di consegna standard del produttore	11 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 150 V 2,17 A (Tc) 3,2W (Ta), 12,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 510 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,2W (Ta), 12,5W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,17 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SI7117
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 500mA, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI7117DN-T1-E3	Vishay Siliconix	1 140	SI7117DN-T1-E3CT-ND	€ 1,69000	Equivalente parametrico
FDMC86265P	onsemi	28	FDMC86265PCT-ND	€ 1,84000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,69000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,06180

SI7117DN-T1-GE3