
SI4816BDY-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4816BDY-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4816BDY-T1-E3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 5,8 A, 8,2 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18,5mohm a 6,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 10nC a 5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 1W, 1,25W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,05000 | € 2,05 |
| 10 | € 1,31400 | € 13,14 |
| 100 | € 0,89550 | € 89,55 |
| 500 | € 0,71664 | € 358,32 |
| 1 000 | € 0,70037 | € 700,37 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,59690 | € 1 492,25 |
| 5 000 | € 0,57220 | € 2 861,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,50100 |







