SI9407BDY-T1-GE3
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SI4816BDY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI4816BDY-T1-E3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI4816BDY-T1-E3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,8 A, 8,2 A
RDSon (max) a Id, Vgs
18,5mohm a 6,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Potenza - Max
1W, 1,25W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 3 961
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,05000€ 2,05
10€ 1,31400€ 13,14
100€ 0,89550€ 89,55
500€ 0,71664€ 358,32
1 000€ 0,70037€ 700,37
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,59690€ 1 492,25
5 000€ 0,57220€ 2 861,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,50100