SI4539ADY-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
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MOSFET - Array 30V 4,4 A, 3,7 A 1,1W A montaggio superficiale 8-SOIC
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SI4539ADY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4539ADY-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4539ADY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 4,4 A, 3,7 A 1,1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,4 A, 3,7 A
RDSon (max) a Id, Vgs
36mohm a 5,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Potenza - Max
1,1W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
SI4539
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