
SI3410DV-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI3410DV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3410DV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3410DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI3410DV-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,1W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI3410DV-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 19,5mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 33 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1295 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 4,1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 6-TSOP | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,05000 | € 1,05 |
| 10 | € 0,65700 | € 6,57 |
| 100 | € 0,43280 | € 43,28 |
| 500 | € 0,33626 | € 168,13 |
| 1 000 | € 0,30516 | € 305,16 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,26568 | € 797,04 |
| 6 000 | € 0,24580 | € 1 474,80 |
| 9 000 | € 0,23567 | € 2 121,03 |
| 15 000 | € 0,22672 | € 3 400,80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,28100 |





