DG447DV-T1-E3
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SI3410DV-T1-GE3

Codice DigiKey
SI3410DV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI3410DV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI3410DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI3410DV-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,1W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI3410DV-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
19,5mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1295 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 4,1W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
6-TSOP
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 8 946
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,05000€ 1,05
10€ 0,65700€ 6,57
100€ 0,43280€ 43,28
500€ 0,33626€ 168,13
1 000€ 0,30516€ 305,16
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,26568€ 797,04
6 000€ 0,24580€ 1 474,80
9 000€ 0,23567€ 2 121,03
15 000€ 0,22672€ 3 400,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,05000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,28100