Name: SI2399DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2399DS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.854 EUR
Availability: InStock

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SI2399DS-T1-GE3
Codice DigiKey	SI2399DS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2399DS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2399DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2399DS-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 6 A (Tc) 2,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI2399DS-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 835 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Codice componente base SI2399
RDSon (max) a Id, Vgs 34mohm a 5,1A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)