Canale P 12 V 4,1 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
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SI2333DS-T1-BE3

Codice DigiKey
742-SI2333DS-T1-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SI2333DS-T1-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SI2333DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI2333DS-T1-BE3
Descrizione
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 12 V 4,1 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
18 nC @ 4.5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max)
±8V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1100 pF @ 6 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
750mW (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
12 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
32mohm a 5,3A, 4,5V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione.