Name: SI2325DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2325DS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6958 EUR
Availability: InStock

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SI2325DS-T1-GE3
Codice DigiKey	SI2325DS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2325DS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2325DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2325DS-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	63 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 510 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 530mA (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SI2325
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 500mA, 10V