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SI2325DS-T1-BE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SI2325DS-T1-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI2325DS-T1-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI2325DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2325DS-T1-BE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 510 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 150 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 500mA, 10V |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2325DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | 50 547 | SI2325DS-T1-E3CT-ND | € 1,39000 | Equivalente parametrico |
| SI2325DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 35 520 | SI2325DS-T1-GE3CT-ND | € 1,39000 | Equivalente parametrico |
In magazzino: 1
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,39000 | € 1,39 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,39000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,69580 |
