Name: SI2302DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2302DDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6832 EUR
Availability: InStock

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SI2302DDS-T1-GE3
Codice DigiKey	SI2302DDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2302DDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2302DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2302DDS-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 2,9 A (Tj) 710mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 57mohm a 3,6A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 850mV a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 710mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,9 A (Tj)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base SI2302

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI2302DDS-T1-BE3	Vishay Siliconix	3 621	742-SI2302DDS-T1-BE3CT-ND	€ 0,56000	Diretto
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,56000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,68320

SI2302DDS-T1-GE3