SI1426DH-T1-E3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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Vishay Siliconix

In magazzino: 86 752

Prezzo unitario : € 2,99000

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SI1426DH-T1-E3
Codice DigiKey	SI1426DH-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1426DH-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
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Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 2,8 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SC-70-6

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 3,6A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,8 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SI1426

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI1416EDH-T1-GE3	Vishay Siliconix	86 752	SI1416EDH-T1-GE3CT-ND	€ 2,99000	Diretto

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