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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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SMBJ8.0CA-M3/5B | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMBJ8.0CA-M3/5B-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMBJ8.0CA-M3/5B |
Descrizione | TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 14 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 13,6V Fascetta 44,1 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMBJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 44,1 A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 600W |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Applicazioni Uso generale |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo Zener | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Canali bidirezionali 1 | Contenitore/involucro DO-214AA, SMB |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 8V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Rottura (min) 8,89V | Codice componente base |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 13,6V |
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Sostituti (11)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ8.0CA-E3/52 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 21 005 | SMBJ8.0CA-E3/52GICT-ND | € 0,54000 | Diretto |
| SMBJ8.0CAHE3/52 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ8.0CAHE3/52-ND | € 0,00000 | Diretto |
| SMBJ8.0CAHE3/5B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ8.0CAHE3/5B-ND | € 0,00000 | Diretto |
| SMBJ8.0CD-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ8.0CD-M3/IGITR-ND | € 0,13547 | Diretto |
| SMBJ8.0CA-E3/5B | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMBJ8.0CA-E3/5B-ND | € 0,11366 | Simile |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 6 400 | € 0,17396 | € 1 113,34 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,17396 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,21223 |
