D²Pak

NSB8KT-E3/81

NSB8KT-E3/81-ND - Nastrato in bobina (TR)
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
NSB8KT-E3/81
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
42
Diodi Standard 800 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D²PAK)
Scheda tecnica Scheda tecnica
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
-
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di diodo
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
800 V
Corrente - Media rettificata (Io)
8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.1 V @ 8 A
Velocità
Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr
10 µA @ 800 V
Capacità a Vr, F
55pF a 4V, 1MHz
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-263-3, D²Pak (2 conduttori + linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore
TO-263AB (D²PAK)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 150°C
1 (illimitato)
EAR99
8541.10.0080
Nastrato in bobina (TR)
Prezzo unitario
800€ 0,56513€ 452,10
800