FESB8JTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodi singoli

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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FESB8JTHE3_A/I
Codice DigiKey	112-FESB8JTHE3_A/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR) 112-FESB8JTHE3_A/ICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 112-FESB8JTHE3_A/IDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	FESB8JTHE3_A/I
Descrizione	DIODE STANDARD 600V 8A TO263AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 600 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tempo di recupero inverso (Trr) 50 ns
Produttore Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 600 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Grado Automobilistico
Stato componente Obsoleto	Qualifica AEC-Q101
Tecnologia Standard	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 600 V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Corrente - Media rettificata (Io) 8A	Contenitore del fornitore TO-263AB (D2PAK)
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.5 V @ 8 A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)	Codice componente base FESB8

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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