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Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 15 559
Prezzo unitario : € 0,39000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 21 037
Prezzo unitario : € 0,39000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 14 750
Prezzo unitario : € 0,32000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,05385
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 12 066
Prezzo unitario : € 0,38000
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,06526
Scheda tecnica
Equivalente parametrico
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 3 543
Prezzo unitario : € 0,30000
Scheda tecnica
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BZT52C18-G3-18 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BZT52C18-G3-18-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BZT52C18-G3-18 |
Descrizione | DIODE ZENER 18V 410MW SOD123 |
Tempi di consegna standard del produttore | 36 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 18 V 410 mW ±5% A montaggio superficiale SOD-123 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Impedenza (max) (Zzt) 45 Ohms |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 nA @ 14 V |
Serie | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Stato componente Attivo | Contenitore/involucro |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore del fornitore SOD-123 |
Tolleranza ±5% | Codice componente base |
Potenza - Max 410 mW |
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Sostituti (20)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B18-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 15 559 | BZT52B18-E3-08GICT-ND | € 0,39000 | Equivalente parametrico |
| BZT52B18-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 21 037 | BZT52B18-E3-18GICT-ND | € 0,39000 | Equivalente parametrico |
| BZT52B18-G3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 14 750 | 112-BZT52B18-G3-08CT-ND | € 0,32000 | Equivalente parametrico |
| BZT52B18-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZT52B18-G3-18-ND | € 0,05385 | Equivalente parametrico |
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10 000 | € 0,04889 | € 488,90 |
| 20 000 | € 0,04461 | € 892,20 |
| 30 000 | € 0,04372 | € 1 311,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,04889 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,05965 |
