DO-219AB

BZD27C43P-HE3-18

BZD27C43P-HE3-18-ND - Nastrato in bobina (TR)
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZD27C43P-HE3-18
DIODE ZENER 43V 800MW DO219AB
53
Diodi - Zener 43 V 800 mW - A montaggio superficiale DO-219AB (SMF)
Scheda tecnica Scheda tecnica
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tensione - Zener (Vz) nom.
43 V
Tolleranza
-
Potenza - Max
800 mW
Impedenza (max) (Zzt)
45 Ohms
Corrente - Dispersione inversa a Vr
1 µA @ 33 V
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.2 V @ 200 mA
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-219AB
Contenitore del fornitore
DO-219AB (SMF)
1 (illimitato)
EAR99
8541.10.0050
Nastrato in bobina (TR)
Prezzo unitario
50.000€ 0,13547€ 6.773,50
50.000