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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 10 438
Prezzo unitario : € 0,66000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 3 014
Prezzo unitario : € 0,66000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,12784
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,14868
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,15759
Scheda tecnica
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BYG21KHM3_A/H | |
|---|---|
Codice DigiKey | BYG21KHM3_A/H-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BYG21KHM3_A/H |
Descrizione | DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 800 V 1,5A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Tempo di recupero inverso (Trr) 120 ns |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 800 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Grado Automobilistico |
Stato componente Attivo | Qualifica AEC-Q101 |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 800 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 1,5A | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.6 V @ 1.5 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) | Codice componente base |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG21K-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 10 438 | BYG21K-E3/GICT-ND | € 0,66000 | Equivalente parametrico |
| BYG21K-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3 014 | BYG21K-E3/TR3GICT-ND | € 0,66000 | Equivalente parametrico |
| BYG21K-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG21K-M3/TR-ND | € 0,14633 | Equivalente parametrico |
| BYG21K-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG21K-M3/TR3-ND | € 0,12784 | Equivalente parametrico |
| BYG21KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG21KHE3_A/H-ND | € 0,14868 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10 800 | € 0,15759 | € 1 701,97 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,15759 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,19226 |
