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BYG10KHM3_A/I

Codice Digi-Key
BYG10KHM3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
BYG10KHM3_A/I
Fornitore
Descrizione
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
Tempi di consegna standard del produttore
49 Settimane
Descrizione dettagliata
Diodi A valanga 800 V 1,5A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA)
Riferimento cliente
Scheda tecnica Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
Contenitore
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di diodo
A valanga
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
800 V
Corrente - Media rettificata (Io)
1,5A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1.15 V @ 1.5 A
Velocità
Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
4 µs
Corrente - Dispersione inversa a Vr
1 µA @ 800 V
Capacità a Vr, F
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-214AC, SMA
Contenitore del fornitore
DO-214AC (SMA)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 150°C
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
AttributoDescrizione
Stato RoHSA norma ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)1 (illimitato)
ECCNEAR99
HTSUS8541.10.0080
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Qtà Prezzo unitario Prezzo tot
15.000€ 0,13678€ 2.051,70
Altre risorse
AttributoDescrizione
Contenitore standard7.500