Name: TPH9R00CQH,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH9R00CQHLQTR-ND
Price: 3.0256 EUR
Availability: InStock

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TPH9R00CQH,LQ
Codice DigiKey	264-TPH9R00CQHLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPH9R00CQHLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPH9R00CQHLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPH9R00CQH,LQ
Descrizione	UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 64 A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPH9R00CQH,LQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,3V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 44 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5400 pF @ 75 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 64 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 8V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 32A, 10V