Name: TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55S10N1LQTR-ND
Price: 4.0504 EUR
Availability: InStock

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TK55S10N1,LQ
Codice DigiKey	TK55S10N1LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TK55S10N1LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK55S10N1,LQ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 55 A (Ta) 157W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK55S10N1,LQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 500µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3280 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 157W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore DPAK+
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 55 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TK55S10
RDSon (max) a Id, Vgs 6,5mohm a 27,5A, 10V