
SSM6N67NU,LF | |
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Codice DigiKey | SSM6N67NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N67NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N67NULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6N67NU,LF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 4 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 6-µDFN (2x2) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SSM6N67NU,LF Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 1,8V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4 A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 39,1mohm a 2A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 3,2nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 310pF a 15V | |
Potenza - Max | 2W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-WDFN piazzola esposta | |
Contenitore del fornitore | 6-µDFN (2x2) | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,53000 | € 0,53 |
| 10 | € 0,32700 | € 3,27 |
| 100 | € 0,20920 | € 20,92 |
| 500 | € 0,15810 | € 79,05 |
| 1 000 | € 0,14164 | € 141,64 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,11706 | € 351,18 |
| 6 000 | € 0,10682 | € 640,92 |
| 9 000 | € 0,10159 | € 914,31 |
| 15 000 | € 0,09573 | € 1 435,95 |
| 21 000 | € 0,09225 | € 1 937,25 |
| 30 000 | € 0,08887 | € 2 666,10 |
| 75 000 | € 0,08745 | € 6 558,75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,53000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,64660 |



