Name: SSM6J212FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J212FELFTR-ND
Price: 0.793 EUR
Availability: InStock

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SSM6J212FE,LF
Codice DigiKey	SSM6J212FELFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6J212FELFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6J212FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6J212FE,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6J212FE,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14.1 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 970 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore ES6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Codice componente base SSM6J212
RDSon (max) a Id, Vgs 40,7mohm a 3A, 4,5V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SSM6J212FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	3 175	SSM6J212FELFCT-ND	€ 0,65000	Equivalente parametrico

In magazzino: 3 175

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,65000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,79300

SSM6J212FE,LF