Name: SSM3J35MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35MFVL3FTR-ND
Price: 0.2074 EUR
Availability: InStock

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SSM3J35MFV,L3F
Codice DigiKey	SSM3J35MFVL3FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J35MFVL3FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J35MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J35MFV,L3F
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale VESM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J35MFV,L3F Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100mA (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	8ohm a 50mA, 4V
Vgs(th) max a Id	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	12.2 pF @ 3 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	VESM
Contenitore/involucro	SOT-723
Codice componente base	SSM3J35

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)