RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Array di transistor bipolari, pre-polarizzati

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RN2964(TE85L,F)
Codice DigiKey	RN2964(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	RN2964(TE85L,F)
Descrizione	TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 200MHz 100mW A montaggio superficiale US6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RN2964(TE85L,F) Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 80 a 10mA, 5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 250µA, 5mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO)
Stato componente Obsoleto	Frequenza - Transizione 200MHz
Tipo di transistor 2 PNP - pre-polarizzati (doppi)	Potenza - Max 100mW
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistore - Base (R1) 47kohm	Contenitore del fornitore US6
Resistore - Base emettitore (R2) 47kohm	Codice componente base RN2964

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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