RN1962TE85LF è obsoleto e non è più in produzione.
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Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 500mW A montaggio superficiale US6
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RN1962TE85LF

Codice DigiKey
RN1962TE85LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RN1962TE85LF
Descrizione
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 500mW A montaggio superficiale US6
Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
50 a 10mA, 5V
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 250µA, 5mA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Stato componente
Obsoleto
Frequenza - Transizione
250MHz
Tipo di transistor
2 NPN - pre-polarizzati (doppi)
Potenza - Max
500mW
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Contenitore/involucro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistore - Base (R1)
10kohm
Contenitore del fornitore
US6
Resistore - Base emettitore (R2)
10kohm
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (4)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
RN1902,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage1 658RN1902LF(CTCT-ND€ 0,29000Simile
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Obsoleto
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