TO-263-7
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TO-263-7
TO-263-7

S2M0080120J

Codice DigiKey
1655-S2M0080120J-ND
Produttore
Codice produttore
S2M0080120J
Descrizione
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 37A (Tj) 234W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
RDSon (max) a Id, Vgs
100mohm a 20A, 20V
Vgs(th) max a Id
4V a 10mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
54 nC @ 20 V
Vgs (max)
+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1324 pF @ 1000 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
234W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263-7
Contenitore/involucro
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 7,82000€ 7,82
10€ 5,35300€ 53,53
100€ 3,95810€ 395,81
500€ 3,48742€ 1 743,71
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 7,82000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 9,54040