RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor | FET, MOSFET singoli

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RF4L055GNTCR
Codice DigiKey	RF4L055GNTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RF4L055GNTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RF4L055GNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RF4L055GNTCR
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 5,5 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale HUML2020L8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,7V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.8 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 400 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore HUML2020L8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerUDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 43mohm a 5,5A, 10V	Codice componente base RF4L055

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RF4L070BGTCR	Rohm Semiconductor	2 139	846-RF4L070BGTCRCT-ND	€ 1,25000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,27000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,54940

RF4L055GNTCR