RJK2511DPK-00#T0 Renesas Electronics Corporation | FET, MOSFET singoli

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IXYS

In magazzino: 300

Prezzo unitario : € 10,30000

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IXYS

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RJK2511DPK-00#T0
Codice DigiKey	RJK2511DPK-00#T0-ND
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	RJK2511DPK-00#T0
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 65 A (Ta) 200W (Tc) Foro passante TO-3P
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RJK2511DPK-00#T0 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 120 nC @ 10 V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4900 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 250 V	Contenitore del fornitore TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 65 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-3P-3, SC-65-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base RJK2511
RDSon (max) a Id, Vgs 34mohm a 32,5A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXTQ82N25P	IXYS	300	IXTQ82N25P-ND	€ 10,30000	Simile
IXTQ88N30P	IXYS	681	238-IXTQ88N30P-ND	€ 13,68000	Simile

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