Name: RJK0332DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0332DPB-01#J0TR-ND
Price: 2.9524 EUR
Availability: InStock

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RJK0332DPB-01#J0
Codice DigiKey	RJK0332DPB-01#J0TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RJK0332DPB-01#J0CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	RJK0332DPB-01#J0
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 35 A (Ta) 45W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Renesas Electronics Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Data di acquisto finale	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2180 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 35 A (Ta)	Contenitore del fornitore LFPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
RDSon (max) a Id, Vgs 4,7mohm a 17,5A, 10V	Codice componente base RJK0332

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PSMN4R0-30YL,115	Nexperia USA Inc.	110	1727-4167-1-ND	€ 1,12000	Simile
STL66N3LLH5	STMicroelectronics	2 940	497-12272-1-ND	€ 1,81000	Simile
TPH7R204PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	16 835	TPH7R204PLLQCT-ND	€ 1,08000	Simile