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5-LFPAK, SC-100
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HAT2267H-EL-E

Codice DigiKey
HAT2267H-EL-E-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Codice produttore
HAT2267H-EL-E
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 25 A (Ta) 25W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
HAT2267H-EL-E Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
25 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
16mohm a 12,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2150 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
25W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LFPAK
Contenitore/involucro
SC-100, SOT-669
Codice componente base
HAT2267
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