Name: NVMFD5C478NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFD5C478NLWFT1GTR-ND
Price: 2.6474 EUR
Availability: OutOfStock

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Renesas Electronics Corporation

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NVMFD5C478NLWFT1G
Codice DigiKey	488-NVMFD5C478NLWFT1GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMFD5C478NLWFT1GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMFD5C478NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFD5C478NLWFT1G
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 10,5 A (Ta), 29 A (Tc) 3,1W (Ta), 23W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8,1nC a 10V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 420pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 3,1W (Ta), 23W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,5 A (Ta), 29 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 14,5mohm a 7,5A, 10V	Contenitore del fornitore 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio)
Vgs(th) max a Id 2,2V a 20µA	Codice componente base NVMFD5

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NP75N04YLG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	2 928	559-NP75N04YLG-E1-AYCT-ND	€ 2,67000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 500	€ 0,62472	€ 937,08
3 000	€ 0,58139	€ 1 744,17

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,17000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,64740

NVMFD5C478NLWFT1G