Name: NTCR013N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 488-NTCR013N120M3S-ND
Price: 31.964 EUR
Availability: OutOfStock

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NTCR013N120M3S
Codice DigiKey	488-NTCR013N120M3S-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTCR013N120M3S
Descrizione	WAFER DIE
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	-
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 75A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,4V a 37mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	254 nC @ 18 V
Vgs (max)	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5813 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	Stampo
Contenitore/involucro	Stampo

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